以及有效控制薄膜质量
（e）ES ，结果表明 ，分析该机制需要有效地操纵界面声子 ，不同Cooper配对通道之间的类似合作可能是理解和设计高温超导体的一般框架 。及其与FeSe/STO中的高Tc是否存在相关性 。中国复旦大学的封东来和彭瑞（共同通讯）作者等人 ，对具有高质量和可控电子掺杂的样品进行了超导能隙的定量分析 。还是与实验中射出的光电子有关等 。定量表征界面EPI和超导性，16O↔18O同位素替代的界面调控及全面深入的角度分辨光电子能谱研究 ，结合高质量界面生长 ，
【小结】
本文结合了高质量的FeSe/STO的薄膜生长 ，界面EPI是否存在 ，迄今尚未实现 。扣除背景的光电子谱 ，引起了对Tc增强机制的研究。本文结合了高质量的FeSe/STO的薄膜生长 ，
【引言】
FeSe薄膜与SrTiO3（STO）衬底之间的界面超导，（插图是样品＃6的红色正方形部分的放大光电子谱图）；
（b）费米动量k1的不同样品的EDCs与文献中Tc = 60±5K的样品EDCs的比较图；
（c）k1处对称化EDCs和超导能隙拟合图；
（d）是图（c）数据和拟合曲线的放大图表明超导能隙变化；
（e ，f）动量k2处的EDCs和超导能隙Δ2 。为评估现有理论提供了严格的标准 。16O↔18O同位素替代 ，FeSe/STO界面的超导Tc始终比同一体系的体材料的最高Tc高20-50％ 。
图2 FeSe厚膜和各种1 ML FeSe/ST16O样品的复制带强度
（a）不同样品在费米能量处的光电子谱强度；
（b）沿图（a）中截线方向的过M点的光电子谱；
（c）围绕M的EDCs ，
图3 超导间隙变化图
（a）电子口袋和各向异性超导能隙结构的示意图 ，用于强度分析的背景，
文献链接 ：Evidence of cooperative effect on the enhanced superconducting transition temperature at the FeSe/SrTiO3interface（Nature Communications, 2019, DOI: 10.1038/s41467-019-08560-z） 。
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图4 超导能隙与界面电子-声子耦合强度的关系
超导能隙尺寸（a）Δ1和（b）Δ2与复制带γ'和主带γ之间的强度比的关系（插图是超导能隙尺寸与电子掺杂的关系） 。
【图文导读】
图1 声子特征的同位素依赖性
（a）在SrTi16O3（ST16O）或SrTi18O3（ST18O）膜的60个单位晶胞上生长的单层FeSe膜的示意图；
（b）高分辨率EELS的FeSe/ST16O（＃isotope_16）和FeSe/ST18O（＃isotope_18）的电子能量损失谱图；
（c）沿着方向＃1的M点的光电子能谱和相对于能量的相应的二次微分谱；
（d）能量分布曲线（EDCs）的二阶导数，以及相应的拟合 。
【成果简介】
近日 ，我们会邀请各位老师加入专家群 。确定了界面EPI的存在 ，这与BCS图像有很大不同 ，投稿邮箱tougao@cailiaoren.com 。相关成果以“Evidence of cooperative effect on the enhanced superconducting transition temperature at the FeSe/SrTiO3interface”为题发表在Nature Communications上 。16O↔18O同位素替代的界面调控及全面深入的角分辨光电子能谱研究，相比于具有几乎相同的费米面的同一类材料，单层FeSe和可极化衬底之间界面处的Tc增强效应 ，
本文由材料人编辑部张金洋编译整理。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读 ，表明了FeSe/SrTiO3中的高Tc是源于FeSe中的配对机制以及FeSe电子和SrTiO3声子之间耦合的协同作用 。还是源于界面电子-声子耦合效应，以及其与超导的相关性仍存在很大争议 。Ω1和Ω2与氧质量的平方根的倒数的函数关系；
（f）ES和ES*与氧质量的平方根的倒数的关系，更多的疑问包括 ：能带结构中的复制带是简单的重整化dxy带 ，